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　　800V电动汽车电池架构的革新，正引领着汽车行业迈向前所未有的续航里程与极速充电的新纪元，其应用范畴已远远超越电动巴士与卡车的界限，这一技术飞跃为用户带来前所未有的便捷体验。随着技术的不断成熟与普及，800V电池架构在乘用车领域的普及势头愈发强劲，正逐步成为推动汽车行业绿色转型与智能化升级的重要驱动力。
xilinx fpga　　AMD 数据中心生态系统和解决方案企业副总裁 Raghu Nambiar 表示：“对于 AI 和关键业务型企业应用等延迟敏感型工作负载而言，存储技术的创新极为重要。我们与美光以及整个生态系统中的合作伙伴的深入合作，将确保全新的 9550 SSD 在基于 AMD EPYC 的服务器上得到充分发挥。”
　　作为一款64位商业级RISC-V处理器内核，Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计，支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz，性能对标Arm Cortex-A72/A510。

　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
　　利用LTSSM视图进行PCIe Gen5协议分析
　　“PGY-PCIeGen5-PA代表了PCIe协议分析的进步，”Prodigy Technovations执行官Godfree Coelho表示。 “PCIe Gen5流量具有无与伦比的可视性，易于设置，能够捕获高达32Gbps的PCIe流量，结构紧凑，可快速监控低功耗状态的进出。 我们使工程师能够快速识别和解决设计问题，终缩短产品上市时间。”
该产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5×6和PQFN 6×8 封装）和CoolGaNDrive HB 650 V G5器件（集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，采用 LGA 6×8 封装）。新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。
　　凭借数十年的经验和创新技术，以及 200 多款针对电源设计或应用提供优化封装类型的器件组合，德州仪器的电源模块可帮助设计人员进一步推动电源发展。
我们很高兴全新第八代BiCS FLASH?技术的2Tb QLC开始送样，”铠侠技术官Hideshi Miyajima表示，“铠侠2Tb QLC产品凭借其业界领先的高位密度、高速传输接口和卓越的能效比，将为快速发展的人工智能应用，以及对功耗和空间要求严苛的大容量存储应用带来新的价值。

英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN?产品技术：CoolGaN双向开关（BDS）和CoolGaN Smart Sense。CoolGaNBDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
xilinx fpga　　eSIM支持在无需物理访问的情况下远程更换运营商。设备所有者与选定的移动网络运营商 (MNO) 签订协议，并通过物联网eSIM远程管理器 (eIM) 触发配置文件过程。这种全新的架构显著简化了设备所有者更换运营商的过程。
LTE Cat.1 bis模组MC610-GL搭载展锐8910平台，覆盖全球主流LTE频段，下行峰值速率达10.3Mbps，上行速率达5.1Mbps，满足全球终端对4G速率连接的需求；同时支持LTE和GSM双模通信，便于用户灵活切换网络。在尺寸封装上，MC610-GL采用24.2mm*26.2mm的LCC+LGA封装方式，Pin脚兼容广和通Cat.1模组MC665/MC615系列及Cat.M模组MA510系列，便于客户终端快速迭代。
　　DFN8 和 SO8 封装的工业级产品现已量产，而车规产品将于 2024 年第三季度上市。用户可从意法半导体电子商店申请TSB952样片。TSB952包含在意法半导体的10年产品寿命保障计划内，保证产品长期供应。