亚德诺半导体

XPLR-IOT-1套件使用MQTT-SN协议与Thingstream平台进行节能且节省数据流量的通信；或者，如果希望使用Wi-Fi，则可以借助内置的Wi-Fi模块和u-blox MQTT Now服务来连接云端。
亚德诺半导体　　具体而言，SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管，在正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置，为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。
　　同时，GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块，采用SOT-227封装，每个组件的正向电流分别为110A和214A，能够满足更高功率输出的需求。
　　新产品采用东芝专有的SOI工艺（TarfSOI），实现了非常高的带宽：TDS4B212MX的－3 dB带宽（差分）为27.5 GHz（典型值），TDS4A212MX为26.2 GHz（典型值），在业界处于领先地位[1]。因此，新产品可用作PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。

　　C8系列采用真空密封的金属盖，不仅确保了产品的可靠性，还赋予了其超轻量级的RTC组件特性。尤为值得一提的是，尽管其所占面积大幅缩减了50%，仅有2.4平方毫米，但C8系列依然继承了C7系列的高性能优势。
　　UM311b相较忆联上一代产品在性能方面实现了提升。顺序读写性能可达550/530 MB/s，随机读写性能可达98K/42K IOPS，时延降低20%，功耗降低40%，可为企业级业务带来更快、更好的使用体验，并在关键应用场景下发挥更强的性能优势，满足用户对高性能的需求。
　　AI 工作负载需要高性能的存储解决方案。9550 SSD 凭借其卓越的顺序和随机读写速率为 AI 用例解锁了出众性能。例如，大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。
　　三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用
　　LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
　　三星电子今日宣布其业内薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
　　为此，FLM163D和FLM263D为终端设备提供各种支持，可助力客户高效、高性价比地完成Matter设备的相关，包括Matter、WWA（Working with Alexa）和MSS（Matter Simple Setup）等服务。其中，Matter可确保内置该系列模组的终端设备能够无缝接入Matter网络，提高终端设备的便利性；WWA和MSS则允许用户无需复杂操作即可将符合Matter标准的智能家居设备无缝添加到Alexa平台中。

　　英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”
亚德诺半导体　　的KSC2轻触开关具有卓越的耐用性和更长的使用寿命，优于市场上的其他开关，不需要频繁更换。随着时间的推移，其稳定性能可增强用户信心，确保功能可靠。
　　凭借先进的图形处理能力，英特尔车载独立显卡可支持高保真视觉效果和复杂的 3D 人机界面（HMI），为用户带来流畅、身临其境的 3A游戏大作，反应灵敏、支持情境感知的AI助手，与沉浸式的 3D 人机界面。对于当今消费者渴望获得无缝衔接、增强交互式体验、引人入胜的车载娱乐系统的市场来说，这些都是至关重要的进步。
　　英飞凌表示，这种功率和性能的组合可节省系统物料清单 (BOM)，而 <10 ?A 深度睡眠和 <1 ?A 休眠模式可为低功耗和电池驱动应用节省能源。