st系列

　　这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色，低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性，结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。
st系列传统方法通常采用调节脉冲宽度调制 (PWM) 占空比的方法来改变电流强度，会占用大量 MCU 资源。软启动方式能避免瞬态电流冲击，不占用 MCU 的状态和资源，还可以自主设置参数，让整个系统更加灵活高效。
推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管— TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。

PMIC是DDR5 内存架构中的关键组件，可实现更多的内存通道、更大容量的模组和更高的带宽。Rambus DDR5服务器PMIC系列包含符合JEDEC超高电流（PMIC5020）、高电流（PMIC5000）和低电流（PMIC5010）规范的产品。
　　此外，RG255C-GL采用紧凑的LGA封装设计，尺寸小巧，仅为32.0 mm × 29.0 mm × 2.4 mm，与移远通信相同尺寸的LTE Cat 4模组EG2x系列兼容，能够满足终端设备对中速率、大容量、低延迟、高可靠性等需求，为客户在现有4G设备中集成该模组提供了便利，极大简化了设备的升级流程。
st系列　　STM32U0新系列MCU融合前沿设计技术和先进的制造工艺，能效水平取得了巨大的飞跃，包括待机模式下极低的静态功耗和卓越的唤醒性能，使MCU在省电的睡眠模式下工作的时间更长，限度地降低平均能耗需求。
　　ROM-6881采用Rockchip RK3588处理器，具有4颗Arm Cortex-A76, 4颗Arm Cortex-A55内核，拥有强大的计算处理能力。其内建的3核心Rockchip自研第四代NPU，可提供6 Tops INT8 AI算力，支持INT4/INT8/INT16/FP16混合运算，轻松转换基于TensorFlow/MXNet/PyTorch/Caffe 等一系列框架的网络模型，便捷实现各种边缘AI推理运算任务。
这些低功耗设备包含非易失性存储器，支持非接触式通信、射频能量回收和生物识别，具有智能卡行业级芯片模块和晶圆级芯片封装。

　　MSD4100WA有多项指标参数优于同类型产品，相较于国外同类对标产品，MSD4100WA具有超低内阻（1.8ohm），超低待机功耗的优点，同时配备了高速I3C接口，很大程度上减少低速接口带来的系统延时。
st系列　　三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用
　　LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
　　三星电子今日宣布其业内薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
　　与早期的类似传感器不同，新的HL-G2系列数字输出设备在每个单元中都包括以太网和RS-485接口，由用于将它们连接到主机系统的电缆选择。
　　Coherent 高意负责光电器件与模块业务的副总裁兼总经理 David Ahmari 博士表示，“新模块平台的一个强大优势就是能够针对用例定制优化的解决方案，甚至可以涵盖强日光下的 30 米深度传感需求。我们照明器的总功率转换效率已超越 30%，且尺寸紧凑，仅为一张信用卡的大约三分之一。